第47回　薄膜・表面物理セミナー（2019）参加者募集
半導体GaNの基礎と応用 － パワーデバイス開発のための合成・分析・構造設計技術 －
III-V族半導体の一種であるGaNは、高温動作、飽和電子速度、最大電界強度に関してSiより優れた特性を有し、電圧変換や整流を担うパワーデバイスへの応用研究が産官学で進められています。GaNやSiCといったワイドバンドギャップ半導体は、電力損失の大幅低減や電力変換器の小型化を実現する「省エネルギーの切り札」とも言われています。

本セミナーでは、この魅力的な材料であるGaNについて、第一線でご活躍されている講師の方々に最新の成果をご紹介頂きます。最新の研究動向を知りたい皆様や次世代を担う若手の皆様など多くの方々のご参加をお待ちしております。
期日 2019年 7月26日(金)
場所 東京理科大学 森戸記念館 第一フォーラム　（新宿区神楽坂 4-2-2）
主催 公益社団法人 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会
参加費 薄膜・表面物理分科会員　10,000円、応用物理学会員・協賛学協会会員　15,000円、学生　3,000円、その他　25,000円
申込締切 2019年 7月4日(木)
参加申込 下記分科会ホームページ内の登録フォームにて参加登録してください．
https://annex.jsap.or.jp/tfspd/
問い合わせ先 応用物理学会事務局分科会担当　五十嵐　周
Tel　 03-3828-7723、E-Mail　igarashi[at]jsap.or.jp ([at]を@に変えてください)